In der Mikroelektronik hat sich das Photoresist-Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen etabliert. Hierbei wird ein Photopolymer im Lack der Photoresistfolie durch UV-Strahlung im Bereich von 340 bis 420 nm belichtet, was eine radikalische Polymerisation auslöst (Negativlack). Die nicht belichteten Stellen werden anschließend gelöst und entfernt. In diesem Verfahren dient der UV-gehärtete Lack als Maske für die Leiterbahn.
Luftsauerstoff kann die radikalische Polymerisation durch Peroxidradikale behindern, was das Photoresist instabil macht. HOSTAPHAN™ verhindert dies, indem es als Barriere wirkt und die UV-Strahlen ungehindert durch die boPET-Folie lässt.
