HOSTAPHAN®-Polyesterfolien für Photoresist

In der Mikroelektronik hat sich das Photoresist-Verfahren, etwa zur Herstellung von Leiterbahnen, durchgesetzt. Ein Photopolymer im Lack der Photoresistfolie wird durch UV-Strahlung im Bereich von 340 bis 420 nm belichtet und löst beispielsweise eine radikalische Polymerisation aus (Negativlack). Die nicht belichteten Stellen werden später gelöst und entfernt. Der UV-gehärtete Lack maskiert in diesem Beispiel die Leiterbahn.

banner_einsatz_sonstiges_photoresist-1Luftsauerstoff kann die angesprochene radikalische Polymerisation durch Bildung von Peroxidradikalen behindern. Das Photoresist vernetzt in der Folge nicht vollständig und bleibt instabil. HOSTAPHAN® beugt dieser Fehlerquelle vor, indem es als Barriere zum Luftsauerstoff fungiert. Die aushärtenden UV-Strahlen passieren die boPET-Folie ungehindert.

Zum Seitenanfang