HOSTAPHAN®-Polyesterfolien für Photoresist
In der Mikroelektronik hat sich das Photoresist-Verfahren, etwa zur Herstellung von Leiterbahnen, durchgesetzt. Ein Photopolymer im Lack der Photoresistfolie wird durch UV-Strahlung im Bereich von 340 bis 420 nm belichtet und löst beispielsweise eine radikalische Polymerisation aus (Negativlack). Die nicht belichteten Stellen werden später gelöst und entfernt. Der UV-gehärtete Lack maskiert in diesem Beispiel die Leiterbahn.
Luftsauerstoff kann die angesprochene radikalische Polymerisation durch Bildung von Peroxidradikalen behindern. Das Photoresist vernetzt in der Folge nicht vollständig und bleibt instabil. HOSTAPHAN® beugt dieser Fehlerquelle vor, indem es als Barriere zum Luftsauerstoff fungiert. Die aushärtenden UV-Strahlen passieren die boPET-Folie ungehindert.
